主要企業の特許情報から、RDLの技術動向と材料への要求性能を読み解く
 
生成AIや高性能コンピューティング向け半導体の進化に伴い、チップレット化やパッケージ大型化が進み、再配線層（RDL）では微細化・多層化、低反り化、接続信頼性の向上が課題となっています。さらに、パネルレベルパッケージング（FOPLP）やガラスコア基板などの新技術により、RDL用絶縁樹脂にも新たな性能が求められ、各社が関連技術の開発や特許出願を強化する動きが見られます。こうした技術変化は、樹脂メーカーにとって新規参入や新材料開発の好機となっています。
 
ネオテクノロジーは、『RDL構造・プロセス編』と『RDL材料編』の２つの特許調査レポートを発刊します。
 
RDLの構造・プロセスと材料技術は密接に関係し、切り離して考えることができません。しかし、特許上では構造・プロセス技術と材料技術が別々の特許として出願されることが多く、両者の関係を読み解くことは容易ではありません。そこで、ネオテクノロジーは、エレクトロニクス分野における特許調査経験やノウハウを生かし、構造・プロセスが求める材料設計と、それに応える材料技術を読み解きます。
 
2つのレポートを併せてご活用いただくことをお薦めします。次世代RDLに求められる材料性能や主要企業の開発動向を把握し、RDL用材料の開発ターゲットの絞り込みや目標性能の設定に、ぜひお役立てください。
 
【RDL構造・プロセス編】
主要半導体・実装メーカーのRDL構造と材料への要求性能を読み解く
 
《主要企業》
　TSMC
　ASE
　Amkor
　Samsung Electronics
　Intel　など 
 
《技術的観点》
　微細配線化
　多層RDL
　低温プロセス
　反り・熱応力
　界面・絶縁信頼性　など
 
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