次世代パワー半導体デバイスとして期待されているのが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスです。現在主流のシリコン（Si）パワー半導体デバイスに比べて、高耐圧、高速スイッチング・高温動作が可能です。一方、ノーマリーオンという特性やゲート耐電圧が低いなどの課題もあり、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスの性能を最大限に引き出すためには、その駆動回路が重要です。本レポートでは、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスの駆動回路に関する最近の特許情報を調査しました。
本レポートでは、発明の特徴が窒化ガリウム(Gan)パワー半導体デバイスの駆動回路である技術としました。なお、窒化ガリウム(Gan)パワー半導体デバイスに適用可能であって、他のパワー半導体デバイスにも適用できる駆動回路技術も調査対象技術としました。
 
 
■技術と企業の全体像を俯瞰できるダイナミックマップ
本ダイナミックマップは、タイトルテーマ技術に関する特許情報の調査結果を、技術分類ごとに分けた技術側と出願上位10社までの企業側の2軸から閲覧することができる電子版特許調査報告書です。『技術側』では出願件数推移グラフや技術の企業シェア等を掲載し、『企業側』では出願内容を技術分類ごとに分けたレーダーチャートや発明者リスト、共同出願人リスト等を掲載しています。
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