GaN は、パワースイッチとして電力変換回路の効率化や小型化が可能な為、次世代パワー半導体の有力候補となっています。GaN の特徴は導通時の飽和電圧が低いので導通損失が少ないこと、ゲート容量が少ないのでドライブが簡単なこと、高速動作ができるのでスイッチング損失が低減することが上げられます。現在、開発されているSiC/GaNデバイスは、それぞれの電圧レンジや電流レンジから、従来のSi 製IGBT はSiC に、従来のSi 製MOSFET はGaNに、順次置き換えられていくであろうと予想されます。
この分野にご関心ある企業各社には、特許情報に基づく技術動向の見通しと最近の特許環境を把握するうえで、格好の特許・ 技術レポートです。
■調査対象技術
GaNベースのパワー半導体を用いた電力変換回路の技術とします。GaNデバイス単体の半導体構造やパッケージ化などの構造、GaNデバイスの放熱構造は対象としません。
■調査対象特許情報
本書はGaN パワー半導体を用いた電力変換回路技術に関する2000年1月1日～2015年12月31日までに発行された国内公開特許約1000件の国内特許情報を調査しました。パワーエレクトロニクス技術専門家のマニュアル査読により、GaN パワー半導体を用いた電力変換回路に重点を置き、技術的に見逃せない国内公開特許情報を調査し、特許情報を抽出しました。
■技術と企業の全体像を俯瞰できるダイナミックマップ
本商品はダイナミックマップ形式の電子版の特許技術動向調査レポートです。技術分類と主要企業から、特許情報を閲覧していただくことができます。ダイナミックマップについてはこちらをご参照ください。
■WEB試読サービス
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【SiC/GaNパワー半導体の電力変換回路】ダイナミックマップ
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Ganパワー半導体を用いた電力変換回路
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