スイッチング電源のメインスイッチング素子にはバイポーラトランジスタ、MOSFET,IGBT等様々な素子が使用されています。高周波動作に伴い駆動回路自身の損失の問題や素子を高速に動作させ更にはノイズの低減も求められています。最近ではメインスイッチング素子のみならず整流部分に３端子スイッチング素子が使用されるようになっています。これらを克服するために様々な方法について最近の特許情報を掲載します。なお、本巻の関連技術として「第1巻 高効率化技術(絶縁型)」「第2巻 高効率化技術(非絶縁型)」「第7巻 同期整流」もご用意していますのでそちらもぜひご参照ください。