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原子層制御が実現する次世代半導体成膜技術の未来
原子層堆積(ALD)は、原子層単位の数nmで超薄膜を成膜していく先進的な技術です。
被成膜対象表面に原料ガス(前駆体)を供給して表面に原料を吸着させるステップと、吸着した原料表面に反応ガスを供給して目的とする薄膜を形成するステップを繰り返し行う成膜技術です。
この技術により、複雑な3D構造表面に対して形状に沿った均一な膜厚形成が可能となり、ピンホールがない緻密な膜を得ることができます。またプラズマ制御とガス制御により多くの材料の成膜が可能となりダメージが少ない成膜プロセスを実現できます。このようなメリットを生かして最先端の半導体製造技術、及び高い光学性能が要求されるディスプレイデバイス、また生体適合膜形成による医療分野への活用などが期待されています。
本書では、最新の原子層堆積の特許情報から技術動向を紹介します。
本調査では、堆積材料に依存せずに微細3D構造に均一に原子層を堆積、あるいはスループットを向上させる原子層堆積方法に発明の特徴がある特許情報、また特定材料の原子層堆積方法に発明の特徴がある特許情報、さらに安定供給できるガス制御システム、生産性向上、品質向上を目的としたプラズマシステムなどを含む原子層堆積装置/システムに発明の特徴がある特許情報を調査の対象としました。その他に薄膜改質組成物、ステップカバレージ改善材などを含む前駆体ガス材料/反応ガス材料に特徴がある特許情報、また原子層堆積を利用したアプリケーションなどに特徴がある特許情報、及び参考技術の6つの技術分類に分け、全体像を俯瞰できるようになっています。
市場ニーズを反映した具体技術が表れる特許情報は、研究開発における強力な羅針盤です。
第一線のR&D技術者の研究開発の促進にお役立てください。
■こんな人におすすめ
・半導体市場への展開を模索している化学・部材メーカー
・半導体関連企業の研究開発担当者
・薄膜・表面処理技術の研究開発担当者
・ディスプレイ・光学・医療材料分野の研究開発担当者
・技術企画・知財・事業開発担当者
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